镀膜设备-东莞拉奇纳米镀膜-真空镀膜设备厂

镀膜设备

PCVD工艺具有广泛的用途。

（1）超硬膜的应用（TiN、TiC、TiCN、（TiAl）N、C-BN等）PCVD法宜于在外形复杂、面积大的工件上获得超硬膜，沉积速率可达4～10μm/h，硬度大于2000HV，绕镀性好，工件不需旋转就可得到均匀的镀层。大量应用于切削刀具、磨具和耐磨零件。

（2）半导体元件上尽缘膜的形成过往半导体元件上的尽缘膜大多用SiO2，现在用SiN4 H2用PCVD法来形成Si3N4，真空镀膜设备，Si3N4的尽缘性、性、耐酸性、耐碱性，比SiO2强，从电性能及其掺杂效率来讲都是的，真空镀膜设备厂，特别是当前的高速元件GaAs尽缘膜的形成，高温处理是不可能的，只能在低温下用等离子法进行沉积。

溅射（或阴极喷涂）和蒸发是用于薄膜沉积的常用的PVD方法。

在PVD技术中，释放或碰撞的热物理过程将要沉积的材料（目标）转化为原子粒子，然后在真空环境中在气态等离子体条件下将原子粒子定向到基材，通过冷凝或化学反应生成物理涂层。投射原子的积累。该技术的结果是，要沉积的材料类型具有更高的灵活性，并且可以更好地控制沉积膜的成分。连接到高压电源和真空室的两个电极构成了PVD反应器。

等离子体化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体（非平衡等离子体）作能量源，镀膜设备，工件置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使工件升温到预定的温度，真空镀膜设备公司，然后通进适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在工件表面形成固态薄膜。它包括了化学气相沉积的一般技术，又有辉光放电的强化作用。